中國半導體大廠人為疏失數萬片晶圓報廢　懲處名單驚見「台積電前高管」

科技中心／台北報導

▲長鑫存儲主要產品線包含17奈米、18奈米的DDR4與LPDDR4。（圖／翻攝自長鑫存儲官網）
 

中國半導體記憶體大廠長鑫存儲合肥晶圓廠，因發生人為疏失，導致數萬片晶圓報廢，造成重大損失！依據長鑫存儲內部文件，此事件重創產線良率，影響產品交期與客戶信譽。公司採取一連串懲處行動，包括營運中心負責人遭停職，多位高層主管亦受到處分，其中包含前台積電上海松江廠廠長，令人唏噓。

根據《ZDnet Korea》報導指出，長鑫存儲的每月晶圓產能規模，從2022年的7萬片，快速成長到2023年12萬片，預計2024年將達到20萬片。目前主要產品線包含17奈米、18奈米的DDR4與LPDDR4，最新產品為12奈米DDR5、LPDDR5X記憶體。

《日經亞洲評論》報導，在AI市場蓬勃發展下，長鑫存儲已著手布局HBM高頻寬記憶體生產計畫，並採購相關設備。該公司在合肥附近營運DRAM晶圓廠，正籌資興建第二座晶圓廠，預計導入更先進製程，用於製造、封裝HBM高頻寬記憶體。

▲長鑫存儲合肥晶圓廠人為疏失，導致數萬片晶圓報廢。（示意圖／AI生成）

值得注意的是，中芯國際前研發執行副總裁周梅生於2022年加入長鑫存儲，擔任技術研究和開發中心負責人。周梅生曾任職科林研發設備技術公司中國區技術長，也曾在新加坡特許半導體、聯電、格羅方德等半導體企業任職，是中芯國際前聯席執行長梁孟松的重要助手。

《彭博社》則指出，美國政府正考慮將長鑫存儲等多家中國科技企業列入制裁名單。《SEMICONVoice》引述市場消息指出，面對美國出口管制趨嚴，中國半導體產業正加速設備和材料國產化進程。