美國司法起訴聯電竊商業機密　聯電反擊：極端不實！

聯電遭美國司法部起訴指控與中國福建晉華公司共謀竊取美光商業機密，聯電發布聲明表示，外界認為聯電沒有任何DRAM知識或經驗，不是事實，且是極端的不實。

▲聯電。（圖／翻攝自Google Maps）

聯電昨（9）日晚間發布聲明指出，聯電是台灣起家的半導體公司。38年來，在全球的供應鏈上，已經成為不可或缺的一員，先進量產技術達14奈米。

對比之下，美光(Micron)爭執所涉及的動態隨機存取記憶體（DRAM）技術，是32奈米，在聯電的計畫啟動當時，已經是落後幾個世代的技術。

聯電表示，社會上有一個錯誤的印象，認為聯電沒有任何DRAM的知識或經驗，這不是事實，而且是極端的不實。

從1996年到2010年，聯電積累了近15年製造DRAM產品的經驗。甚至在某個時間點上，聯電內部DRAM團隊人數，超過150人。

聯電指出，藉由堅實而穩定的團隊，掌握並保存了豐富的DRAM知識和經驗；現任共同總經理之一的簡山傑，便是1996年時開發DRAM產品的RAM製程開發經理。

聯電表示，另一個實例則是，Alliance是1996年第一個獲得聯電授權合作DRAM夥伴之一，是一家總部位於美國的DRAM晶片設計公司，藉由聯電的技術進行DRAM製造。

聯電又表示，除傳統的DRAM技術外，2009年聯電更成功開發了屬於自己的嵌入式DRAM製程技術，這比製造標準型DRAM的過程要複雜得多。

聯電指出，同意與福建晉華聯合開發DRAM製程，這是一個與聯電晶圓專工服務完全分開的單獨項目，在做成決策當時，只是一個符合所有合理商業考量的單純商業交易，已經向台灣政府正式提出申請，主管機關也已於2016年4月核准整個項目。值得一提的是，那時還未聽說有中美貿易戰。

自從開始為晉華開發DRAM製程技術，履行合約義務，聯電已經花費新台幣數億元。儘管這個專案的研發團隊成員接近300人，但只有不到10%的人曾在美光工作過。

聯電表示，其DRAM技術基礎裡的元件設計，是完全不同於美光的設計。另一個錯誤的印象是美光在美國開發了25奈米的DRAM技術，事實是，美光在2010年初，購買台灣的瑞晶和日本的爾必達的25奈米DRAM技術。

聯電強調，不要「在報刊上」進行這場訴訟，但聯電要向客戶和投資人保證，對於任何子虛烏有的控訴和誤認事實的指責，聯電將會全力並積極地自我防衛。