行政院會明討論「台版晶片法」產創條例修法　研發投資最高折減25％

記者盧素梅／台北報導

為鞏固並提升關鍵產業的國際供應鏈地位，行政院會明（17）日將通過「產業創新條例」第10之2條草案，對位居國際供應鏈關鍵地位的公司提供研發及設備投資抵減，其中前瞻研發支出抵減率高達25％，為產創最高抵減。一旦修法通過，台積電、聯發科等半導體大廠將有望適用，堪稱是台版晶片法案。

▲行政院會明（17）日將通過「產業創新條例」第10之2條草案，堪稱是台版晶片法案。（圖／翻攝自Pixabay圖庫）

經濟部預告增訂「產業創新條例」10條之2，將企業前瞻研發費用抵減營所稅，抵減率15%大幅提高至25%，先進製程設備投抵，當年度設備支出抵減營所稅5%。行政院官員表示，政府重視半導體整體發展，行政院會明天議程就將排入討論產創條例的修法，討論通過後將送立法院審議。

據了解，修法3大適用要件為「研發費用達一定規模」、「研發密度達一定規模」、「有效稅率達一定比率」。至於研發費用標準門檻，原定是達新台幣100億元，後財政部、經濟部達共識調降為50億元，不過細節仍待兩部協調後，另以子法定之。

為因應OECD國家最低稅負制調整，財經部會官員表示，產創條例第10之2條適用條件方面，民國112年有效稅率為12%，113年之後可能拉到15%，若國際間最低稅負制上路有變數，條文設有一年的彈性，也就是15%可以延到114年施行，但這部分要報行政院核定。